기존 FinFET 구조는 게이트가 채널의 세 면만 감싸지만, GAA는 네 면 모두를 감싸 전류 제어력이 높고 누설 전류가 적다. 삼성전자가 3nm 공정에서 세계 최초로 GAA(나노시트) 구조를 양산에 적용했으며, TSMC도 2nm부터 GAA를 채택한다. 1nm 이하 공정에서는 GAA를 발전시킨 CFET(Complementary FET)가 후속 구조로 연구되고 있다.
GAA 트랜지스터
aka Gate-All-Around Transistor
채널 사방을 게이트가 감싸는 구조로, 3nm 이하 공정에서 FinFET을 대체하는 차세대 트랜지스터