삼성전자, ‘꿈의 반도체’ 1나노 공정 개발 착수 — AI 전력 문제 해결 카드도 꺼냈다
삼성전자가 반도체 업계에서 ‘꿈의 공정’으로 불리는 1.0nm 파운드리{{foundry}} 공정 개발에 본격 돌입했다. 양산 목표는 2029년 이후. 동시에 AI 시대 최대 난제인 전력 소비 문제를 해결할 실리콘 포토닉스 기술도 차세대 로드맵의 핵심으로 올렸다.
현재 최첨단 반도체 공정은 2nm 수준이다. TSMC가 2nm 양산을 준비 중이고, 삼성전자도 GAA{{gaa-transistor}}(Gate-All-Around) 트랜지스터 기반 2nm 공정을 가동하고 있다. 1nm는 여기서 한 단계 더 나아간 것으로, 원자 수십 개 수준에서 회로를 설계해야 하는 극한의 미세 공정이다. 업계에서는 CFET(Complementary FET) 같은 완전히 새로운 트랜지스터 구조가 필요할 것으로 보고 있다.
주목할 점은 삼성전자가 공정 미세화만이 아니라, AI 반도체의 근본 병목인 전력 문제에도 동시에 대응하고 있다는 것이다. 실리콘 포토닉스{{silicon-photonics}}는 기존 구리 배선 대신 빛(광신호)을 이용해 칩 간 데이터를 전달하는 기술이다. 전기 신호 대비 발열이 적고 전송 속도가 빠르다. AI 데이터센터에서 GPU 간 통신이 전체 전력 소비의 상당 부분을 차지하는데, 이 부분을 광 통신으로 대체하면 전력 소비를 대폭 줄일 수 있다.
삼성전자는 2026년 반도체 부문에 110조원(약 730억 달러) 규모의 투자를 계획하고 있다. SK하이닉스와의 HBM 시장 경쟁, TSMC와의 파운드리 기술 격차 축소라는 두 가지 전선에서 동시에 싸워야 하는 상황이다. 1나노 공정과 실리콘 포토닉스 모두 2029~2030년이 실질적 양산 시점으로, 지금은 기반 기술 확보 단계다.
한국 반도체 산업 전체로 보면, AI 수요 급증으로 메모리와 파운드리 모두 호황이지만, 일본 장비·소재 의존도가 여전히 높다는 구조적 리스크도 함께 주시해야 할 부분이다.
📎 출처 및 참고 자료
- 삼성전자, ‘꿈의 반도체 공정’ 1나노 첫 개발 돌입 — 서울경제, 2026-04-11
- 삼성 ‘빛의 반도체’ 파운드리 시동 — 글로벌이코노믹, 2026-04-06
- Samsung plans to invest US$73 billion in 2026 — Mixvale, 2026-03-20
- 2026년 4월 11일 주요 뉴스 — 오늘의 클릭, 2026-04-11
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